二三极管代理品牌系列

二极管的特性就是单方向导电性。

在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。

二极管的正向特性:

在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗二极管约为0.2V,硅二极管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗二极管约为0.3V,硅二极管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。

二极管反向特性:

在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当普通二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,二极管会反向热击穿而损坏。

稳压二极管:稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管,其伏安特性曲线与普通二极管相似,但反向击穿曲线比较陡,稳压二极管工作于反向击穿区,由于它在电路中与适当电阴配合后能起到稳定电压的作用,故称为稳压管。稳压管反向电压在一定范围内变化时,反向电流很小,当反向电压增高到击穿电压时,反向电流突然猛增,稳压管从而反向击穿,此后,电流虽然在很大范围内变化,但稳压管两端的电压的变化却相当小,利于这一特性,稳压管访问就在电路到起到稳压的作用了。而且,稳压管与其它普通二极管不同,反向击穿是可逆性的,当去掉反向电压稳压管又恢复正常,但如果反向电流超过允许范围,二极管将会发热击穿而损坏,所以要用电阻限制其电流。


三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时,在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流,即集电极电流。并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化,这就是贴片三极管的放大作用。 三极管还可以作电子开关,以及配合其它电子元件还可以构成振荡器等。

二、关于开关电路:

三极管除了可以当做交流信号放大器之外,也可以做为开关之用。严格说起来,三极管与一般的机械接点式开关在动作上并不完全相同,但是它却具有一些机械式开关所没有的特点。开关三极管处于饱和导通状态的特征是发射结,集电结均处于正向偏置。而处于放大状态的三极管的特征是发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。这也是可以使用电压表测试发射结,集电结的电压值判定三极管工作状况的原理。开关三极管正是基于三极管的开关特性来工作的。

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国巨MELF二极管技术的应用大幅度提高了生产工艺和效率。
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我司深圳顺海科技有限公司更是“硕凯”“萨瑞微”品牌的TVS瞬变抑制二极管代理直销商,主营TVS瞬变抑制二极管、单向瞬变抑制二极管、双向瞬变抑制二极管,如需要TVS瞬变抑制二极管等相关产品请留言联系或拨打:0755-28100016;海量现货库存,规格齐全,欢迎来咨询价格或拿样测试。下面小编大致介绍其中一款规格TVS瞬变抑制二极管参数选型如下。
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二三极管应用广泛最多是那种?
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二极管封装_最全面肖特基二极管的封装尺寸参数详情图
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介绍LED发光二极管行业趋
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稳压二极管的检测方法
从外形上看,金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形,负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极,另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管,也可以用万用表判别其极性,测量的方法与普通二极管相同,即用万用表R×1k档,将两表笔分别接稳压二极管的两个电极,测出一个结果后,再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中,阻值较小那一次,黑表笔接的是稳压二极管的正极,红表笔接的是稳压二极管的负极。
瞬态抑制二极管(TVS),静电保护元件(ESD)
合金电阻,保险丝(FUSE),自恢复保险丝(PPTC),陶瓷气体放电管(GDT),瞬态抑制二极管(TVS),静电保护元件(ESD),半导体固体放电管(TTS),压敏电阻(MLV/MOV),热敏电阻(NTC),等电路保护器件代理商-顺海科技
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二极管的作用与分类
发光二极管 利用含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)等化合物制成。砷化镓二极管发红光,碳化硅二极管发黄光等。这种二极管正向驱动,工作电压低,电流也比较小,特别是是对于贴片型的,寿命长、可各种各样的颜色的光,广泛用于广告牌以及数码屏显示以及其他需要发光的场合。
一文详解肖特基二极管作用及原理-知识篇
肖特基二极管作用 肖特基二极管主要作用体现于在于它是一种低功耗、超高速半导体设备。最显着的特征是反向恢复时间极短(可小于数纳秒),正向导通压降仅为0.4V左右。它主要用于高频、低压、大电流整流二极管、二极管、保护二极管,也用于微波通信等电路中的整流二极管、小信号检测二极管。常用于通信电源、变频器等。   典型的应用是在双极晶体管对BJT的开关电路中,通过在BJT上连接Shockley的二极管钳位,晶体管在导通状态下接近截止状态,提高晶体管的开关速度。这种方法是用于74LS、74ALS、74AS等典型的数字化智能电路的技术。   肖特基二极管的最大特征是正压下降VF流稍小。同样的电的情况下,正压下降相当小。此外,恢复时间短。耐压低,漏电流大也有缺点。选择时要全面考虑。
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深圳顺海科技有限公司是“硕凯”品牌授权一级代理直销商,主营稳压二极管、齐纳二极管,其封装可选SOD-323、SOD-123、MINI-MELF/LL-34、MELF/LL-41、SMA、SMB、SOT-23、DO-35、DO-41、DO-35等等,如需要稳压二极管/齐纳二极管等产品请留言联系或拨打:0755-28100016;海量稳压二极管/齐纳二极管全封装规格现货库存,正品保证、样品申请、小量快购、专业FAE支持、可定制、供应链保障、研发选型、技术问答。我司专注于半导体、电子元器件等20余年是您值得信赖的企业。那么今天小编就以SOD-123封装;2.4V~75V稳定电压;耗散功率为350mW介绍这款封装主要选型参数如下图。
一文概述三极管两大工作原理-知识篇
三极管工作原理 一、理论原理 对于NPN管,由两个N型半导体之间夹着一个P型半导体构成,发射区和基础区之间形成的PN结称为发射结,集电区和基础区形成的PN结称为集电结。三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。如下图所示 当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于偏差状态,当c点电位高于b点电位几伏时,集电结处于偏差状态,集电极电源Ec高于基极电源Eb。 在制造三极管时,有意识地使发射区的大多数载流子浓度大于基础区,同时基础区薄,并严格控制杂质含量。这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电子流。 由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Icn,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibn.根据电流连续性原理得:Ie=Ib+Ic 这就是说,在基极补充一个很小的Ib,就可以在集电极上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持一定的比例关系,即:β1=Ic/Ib;式中:β1--称为直流放大倍数,集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为:β= △Ic/△Ib;式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。α1=Ic/Ie(Ic与Ie是直流通路中的电流大小)式中:α1也称为直流放大倍数,一般在共基极组态放大电路中使用,描述了射极电流与集电极电流的关系。α =△Ic/△Ie;表达式中的α为交流共基极电流放大倍数。同理α与α1在小信号输入时相差也不大。 对于两个描述电流关系的放大倍数有以下关系,如下图参考 三极管的电流放大作用实际上是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的较大变化。而且三极管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用。 二、放大原理 (1)发射区向基区发射电子 电源Ub通过电阻Rb添加到发射结上,发射结正偏,发射区大部分载流子(自由电子)不断越过发射结进入基础区域,形成发射极电流Ie。与此同时,基区中的大多数载流子也向发射区扩散,但由于大多数载流子的浓度远低于发射区中的载流子的浓度,因此可以认为发射结主要是电子流;   (2)基区中电子的扩散与复合 电子进入基础区域后,首先在发射结附近密集,逐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促进电子流在基础区域向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区域形成集电极电流Ic。还有一小部分电子(因为基区很薄)和基区的空穴复合,扩散电子流与复合电子流的比例决定了三极管的放大能力; (3)集电区收集电子 由于集电结和反向电压大,该反向电压产生的电场力在阻止集电区电子向基础区扩散的同时,将扩散到集电结附近的电子拉入集电区形成集电极主电流Icn。此外,集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流。Icbo表示,其值很小,但对温度极其敏感。
三极管的管脚如何判断?三极管的封装形式有哪些?
三极管的封装形式 有用于包装和塑料包装两类,具有一定的规律性的中国发展的管脚排列的公共晶体管的金属形式的封装结构。 目前,有许多类型的晶体管的类型,不同的管脚排列,在晶体管的使用不确定销布置中,每个销必须被测量以确定正确的位置,或者找到一个晶体管手册,清除晶体管的特性和相应的技术参数和信息。
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