您好,欢迎来到顺海科技!
| 0755-28100016 中文
公司新闻 行业新闻 产品新闻 元器件百科 技术资讯 知识解答
快速选型

氧化铝基板技术突破,SiC/GaN产品成本即将大幅降低

时间:2024-06-14 阅读量:76

日本旭化成在功率半导体等用的氮化铝基板方面,成功将可使用面积扩大至以往量产产品的4.5倍。采用直径4英吋(约100毫米)的基板,可使用面积从原来的80%扩大至99%。迈向实用化的评估成为可能,今后将开始向半导体厂商供应样品,力争到2027年作为基板实现实用化。

面向新一代功率半导体的碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的研发取得进展,但在化合物半导体中,氮化铝耐高电压的指标最高,因此电力损耗最小。实用化需要实现大口径化,2023年在全球首次成功实现4英吋化。此次将可使用面积从原来的80%增至99%,达到了可面向实用化进行评估和验证的尺寸。

 

可使用面积与传统量产产品的2英吋相比增至4.5倍,有助于削减成本。此前,基板的边缘存在无法使用的部分,但在制造工序的温度变化等方面下功夫,使之可使用99%。为了今后实现实用化,向数家半导体厂商提供了样品。作为基板,力争2027年前实现可用,2029年前后在使用氮化铝基板的功率半导体的设备上搭载。

 

利用可应对高频率的特点等,预计首先将用于卫星通信和5G基地台。今后计划将口径进一步扩大至6英吋。高级研究员久世直洋表示「将来还计划应用于充电器等汽车用途」。

 

此前,旭化成一直在用于杀菌的深紫外线LED上使用氮化铝基板。此次将向设备制造企业提供由美国子公司Crystal IS (纽约州)制造的基板,预计将用于新一代功率半导体和高频设备等。制造的费用不会因基板的尺寸而有太大变化,基板的大型化对旭化成来说也有助于提高利润。

 

在新一代功率半导体用基板方面,各化工企业正在推进开发和生产增强。在GaN基板方面,日本住友化学已形成4英吋的量产体制,力争在年内实现6英吋的客户评估,三菱化学集团已开始4英吋的样品供货。Resonac控股计划在2027年4月以后,增强SiC基板的日本国内产能。


Copyright © 深圳市顺海科技有限公司 All Right Reserved 粤ICP备15069920号