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Infineon(英飞凌)OptiMOS™ 6 功率MOS120V产品介绍

时间:2024-06-26 阅读量:54

本文推荐:OptiMOS™ 6 功率 MOSFET系列之120V。英飞凌最新的 OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 系列可实现最高水平的系统效率。OptiMOS™ 6 采用最先进的沟槽工艺,在开关/导通损耗和电流能力方面有显著改进。  
 

英飞凌的 OptiMOS™ 6 120 V功率MOSFET系列适用于高频和低频的硬开关和软开关应用,提供正常和逻辑电平两种类型。它可广泛应用于工业电源、太阳能、电源充电器、低压驱动器和电动工具等领域。

产品优势

• 最高的效率
• 高功率密度
• 系统可靠性高
• 高效的器件,导致更少的冷却需求和更少的并联器件数量
• 可灵活选择PCB材料


 

技术优势

• 业界在120 V中最低的RDS(on)
• 在各种应用的开关和传导损耗之间取得最佳平衡
• 在不需要150 V电压的情况下,有更低的RDS(on)和FOMs
• 广泛的封装选择:用于FR4和IMS PCB的SMD,顶部冷却和THD
• 具有工业资质和Tj_max = 175°C,可实现卓越的功率处理和坚固性
• 与 100 V 器件相比,提供了更高的电压余量



 

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