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新品:Infineon(英飞凌)OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 200V

时间:2024-06-26 阅读量:43

使用 OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 将您的设计提升到更高的系统效率水平

英飞凌最新的 OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 系列可实现最高水平的系统效率。OptiMOS™ 6 采用最先进的沟槽工艺,在开关/导通损耗和电流能力方面有显著改进。这些改进可降低系统损耗,从而提高功率密度、电路板温度和整体系统可靠性。目标应用包括开关模式电源(SMPS) 、可再生能源、Oring 电路、电机驱动、LEV 和电池供电应用。

该系列包含多款产品,包含全新推出的200V,以及120V, 100V,与40V家族。 本文详细介绍200V的产品性能与优势。

 

重新定义行业标准
英飞凌新的200v MOSFET系列采用最新的OptiMOS™6(新品)
MOSFET沟槽技术,可实现高功率密度、高效率和系统可靠性。

产品优势

• 低传导损耗
• 开关损耗低
• 改善了EMI
• 减少了并联的需要
• 并联时更好的电流共享
• 符合RoHS,无铅

 

技术优势

• 与上一代相比,室温下RDS(开启)减少42%,175°C时减少53%
• 降低了Qrr和提高了电容线性度,提高了开关性能
• 在不影响EMI的情况下,降低传导和开关损耗
• 改进了SOA以增加保护开关应用中的MOSFET电流处理
• 设计优化和生产精度使可靠的高性能技术

特别推荐:
 

StrongIRFET™

StrongIRFET™功率MOSFET专门为工业级应用设计,特别适合于开关频率较低以及需要较高载流能力的应用。

一.StrongIRFET™ 2 Power MOSFET

StrongIRFET™ 2系列,采用新一代功率MOSFET技术,可满足 开关电源、 电机驱动器、电池供电、电池管理、UPS、轻型电动车和太阳能等多种应用需求。

该系列产品实用性强、性价比高,对于追求便捷选购的设计师而言,堪称理想之选。 该系列产品针对低开关频率和高开关频率进行了优化,可为各种应用提供支持,实现灵活设计。新产品支持各类封装,包括TO-220, TO-220 FullPAK、D2PAK、D2PAK 7引脚以及DPAK封装。

与之前的 StrongIRFET™ 器件相比,这项新技术可提供高达 40% 的 RDS(on) 改进和高达 60% 的 Qg 降低,从而转化为更高的功率效率,从而提高整体系统性能。 更高的额定电流可实现更高的载流能力,无需再并联多个器件,从而降低了 BOM 成本并节省了电路板面积。

StrongIRFET™ 2 系列功率 MOSFET 技术适用于各种应用,例如 SMPS、电机驱动、电池供电、电池管理、UPS 和轻型电动汽车。

二.StrongIRFET™ Power MOSFET
StrongIRFET™功率MOSFET系列针对低R DS(on)和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合于要求高性能和耐用性的低频应用,如电池供电电路以及用于包括电动工具、轻型电动车辆和需要高能量的电动自行车等终端应用在内的有刷和无刷直流(BDLC)电动机驱动器。在该器件的应用下,系统的能量效率将得到提高。

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