电容-积层陶瓷电容(贴片电容) 静电容量测定的注意事项

发布时间:2019-04-15
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静电容量测定的注意事项

积层陶瓷电容器(以下、简称为MLCC)的静电容量在测定时、发生过如下问题吗?

来解决问题吧!!

※点击可移动至各个项目。

 

※关于静电容量的测定条件、请确认详细的规格表。

※关于静电容量全般的测定、请参考资料『 陶瓷电容器的静电容量测量法

 

温度补偿型(低容量)测定的注意事项

 

按以下顺序进行说明。

1)测定治具的“O”补正是?

2)OPEN补正时的端子间距离和静电容量测定值

3)静电容量测定值的变化理由

4)测定时的注意事项

1)测定治具的“O”补正是?

①如下图MLCC在测定时、会发生

测定线上串联电阻以及电感
MLCC夹住时测定端子间的浮游容量

造成不能准确的测定MLCC的静电容量。
所以、为了消除这些影响因素的行为就称为『测定治具的“O”补正』。

测定前的OPEN补正、SHORT补正就属于此补正。

 

②OPEN补正是把MLCC夹住时测定端子间的浮游容量消除、SHORT补正是把测定线上串联电阻以及电感消除

 

③在OPEN补正、SHORT补正后、MLCC测定精度可以得到确保。

 

2)OPEN补正时的端子间距离和静电容量测定值

1pF的MLCC静电容量测定为例、改变OPEN补正时的测试治具端子间距离然后确认静电容量
结果、OPEN补正时端子间距离比MLCC的L尺寸越大静电容量测定值也越大、比MLCC的 L尺寸小静电容量测定值也变小。

 

■测定条件
品名 0201 1PF 50V +/-0.1PF
測定器 HP4278A
測定治具:HP TEST FIXTURE16034E
条件 1±0.1MHz/1±0.2Vrms

 

3)静电容量测定值的变化理由

■为何OPEN补正时端子间距离会使静电容量测试值产生变化呢?

 

 

■OPEN补正端子间距离和静电容量测定结果

 

 

 

 

4)测定时的注意事项

OPEN补正时的重点>OPEN补正端子间距离和静电容量测定结果

OPEN补正时的端子间距离、请和瓷片的L寸法一致。

测定治具端子间距离长的情况下进行OPEN补正、补正时的浮游容量比实际的测定时的静电容量小。 

 

OPEN补正端子间距离和MLCC L寸法不一样的状态下进行补正、治具自身的浮游容量就不能得到正确的0补正。
OPEN补正时端子间距离比MLCC L寸法小、导致治具间的浮游容量比实际大的情况下0补正、结果补正后的测定结果变小。

相反,端子间距离比MLCC L寸法大时、补正后的测定结果变大。
OPEN补正时端子间距离的偏差、比起使用夹具型的测定治具(例如Agilent16034)、镊子型的治具(例如Agilent16334)的偏差要大些。
镊子型的治具和夹具型的相比、测定端子先端的面积(式①的S)大、所以因端子间距离的差异而产生的静电容量测定值的变动也
按以下顺序进行说明。

1)大容量MLCC的测定事例

2)静电容量测定值低下的理由

3)测定时的注意事项

1)大容量MLCC的测定事例

大容量和非大容量MLCC在ALC (Automatic Level Control )ON/OFF的状态下测定静电容量。结果如下。


■测定条件

品名:如GRM188R60J106K/GRM188B11H103K

测定器 Agilent E4980A

测定治具:Agilent TEST FIXTURE16334(镊子型)

条件  CAP0603 10UF 6.3V X5R 10%;1±0.1KHz/0.5±0.1Vrms

    CAP0603 10NF X7R 50V 10%;1±0.1KHz/1.0±0.2Vrms

大容量的静电容量测定时、ALC 设定OFF与ALC设定ON的状态下相比,静电容量测定值要小

 

■静電容量測定結果

 

2)静电容量测定值低下的理由

 

各种情况下用万用表测试测定电压的结果如下。
对于大容量MLCC、ALC 设置OFF时测定电压值不满足测定条件

 

■測定条件1±0.1KHz/0.5±0.1Vrms

 

■測定条件1±0.1KHz/1.0±0.2Vrms

 

 

 

 

 

 

3)测定时的注意事项

 

■静电容量低时、准备好万用表对测定电压进行测量。

如果、测定电压比规定的测定电压小的话、

①设定ALC  ON

②使用能发生规定电压的测定器

 

 
 
测定电压在测定时、如下照片把万用表搭在测定治具的两端。

 

 


关于高诱电系积层陶瓷电容的老化

高诱电系陶瓷电容器,主要构成成分为钛酸钡(BaTiO3)。本系列电容器具有静电容量随着时间的推移而变小的现象。这个现象就叫作静电容量的老化特性。

BaTiO3系是下图1所示的钙钛框形结构,在居里点以上温度时,就是这样的立方形。

 

BaTiO3系陶瓷电容器加热到居里点以上时,结晶构造由正方晶系转变成立方晶系。
冷却到居里点温度以下时,结晶构造由立方晶系转变成正方晶系。(图2)

  总之,结晶对的微细构造加热到居里点以上温度时,就能恢复到最初状态,老化也就再次开始。
由于老化减少的静电容量,在贵公司安装工程的加热过程可以恢复。

 

[补充资料]

高诱电系的积层陶瓷电容器的静电容量,以经过125℃以上的热处理24小时后的值作为基准,与时间成对数关系直线性下降。请参考如下本公司制品静电容量老化特性的代表例子。

 

补充资料/ GRM188B11H103K测定比较

 

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