不同介质的贴片电容器的温度系数，阻值，电压都尽不相同

发布时间：2022-02-18

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贴片电容可以按照材质分为NPO和X7R和3级低频电容器的不同如：温度系数和容量和精度。

贴片电容器介质是以cog/NPO为I类介质的高频电容器。其温度系数为±30ppm/℃。电容一般不随温度,电压,和时间的变化而变化，电容非常稳定。作用表现在高频电子电路领域，如振荡电路、定时电路等；容量的精度值为±5。当容量低于10PF时，可选择三种精度：B（±0.1pf）、C（±0.25pf）和D（±0.5pf）。
   以电容相对稳定的X7R为II级介质的中频电容器的温度系数为±15。它适用于各种旁路、耦合和滤波电路。其容量精度主要为K（±10）。在其他特别的情况下也能供应J级（±5）高精度产品。
   不同类型的电容器有不同的最大使用频率。250MHz以内的小型云母电容器；300MHz以内的晶片式陶瓷电容器。200MHz以内的圆管式陶瓷电容器，3000MHz的盘式陶瓷，小型纸电容器为，80MHz的中型纸电容器。
   3级类介质的低频电容器的温度系数：＋30~－80.电容随温度、电压和时间变化很大。一般来说，它只适用于各种滤波电路。其容量精度为Z级（+80~-20）也可选择精度为±20电容。
   SMD电容器的介电强度是指介电材料承受高强度电场而不发生击穿的能力，当外部电场强度达到某一临界值时，通常用伏特/密耳（V/密耳）或伏特/厘米（V/cm）表示，材料晶格中的电子克服电荷恢复力的约束，产生场致电子发射，导致足够多的自由电子相互碰撞，产生雪崩效应，进而导致突然击穿电流击穿介质，使其失效，还有另一种介电故障模式。高压负载下产生的热量会在一定程度上降低介电材料的电阻率。如果这种程度持续足够长的时间，将在介质最薄弱的部分产生泄漏电流。这种模式与温度密切相关，介质强度随着温度的升高而降低
   由于材料微观结构中存在物理缺陷，任何绝缘体的固有介电强度都会降低，与绝缘电阻一样，介电强度也与几何尺寸密切相关，因为材料体积的增加会增加随机缺陷的概率，介质的强度与介质层的厚度成反比，同样地，在设计片式电容器的边缘余量时，介电强度与内部电极层的数量及其物理尺寸成反比，必须确保在使用期间和耐压试验期间（通常为其工作电压的2.5倍）中等强度时没有击穿故障
在正确选择片式电容器时除了提供其规格和容量外还必须特别注意电路对贴片电容器的温度系数额定电压和其他参数的要求。片式电容器的标准命名方法和定义：国内外厂家片式电容器的命名不同，但参数相同。

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